КМОП

Материал из свободной русской энциклопедии «Традиция»
Перейти к: навигация, поиск

КМОП (К-МОП; комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) — технология построения электронных схем. В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями (ТТЛ, ЭСЛ и др.) является очень малое энергопотребление в статическом режиме (в большинстве случаев можно считать, что энергия потребляется только во время переключения состояний). Отличительной особенностью структуры КМОП по сравнению с другими МОП-структурами (N-МОП, P-МОП) является наличие как n-, так и p-канальных полевых транзисторов; как следствие, КМОП-схемы обладают более высоким быстродействием и меньшим энергопотреблением, при том характеризуются менее сложным технологическим процессом изготовления и меньшей стоимостью.

Подавляющее большинство современных логических микросхем, в том числе, процессоров, используют схемотехнику КМОП.[1]

История[править]

Схемы КМОП в 1963 изобрёл Фрэнк Вонлас (Frank Wanlass) из компании Fairchild Semiconductor, первые микросхемы по технологии КМОП были созданы в 1968. Долгое время КМОП рассматривалась как энергосберегающая, но медленная альтернатива ТТЛ, поэтому микросхемы КМОП нашли применение в электронных часах, калькуляторах и других устройствах с батарейным питанием, где энергопотребление было критичным.

К 1990 году с повышением степени интеграции микросхем встала проблема рассеивания энергии на элементах. В результате технология КМОП оказалась в выигрышном положении. Со временем была достигнута скорость переключения и плотность монтажа недостижимые в технологиях, основанных на биполярных транзисторах.

Ранние КМОП-схемы были очень уязвимы к электростатическим разрядам. Сейчас эта проблема в основном решена, но при монтаже КМОП-микросхем рекомендуется принимать меры по снятию электрических зарядов.

Для изготовления затворов в КМОП-ячейках на ранних этапах применялся алюминий. Позже, в связи с появлением так называемой самосовмещённой технологии, которая предусматривала использование затвора не только как конструктивного элемента, но одновременно как маски при получении сток-истоковых областей, в качестве затвора стали применять поликристаллический кремний. Это было вызвано тем, что алюминий не мог выдержать высокотемпературного процесса «разгонки» примеси, проводимой после получения стока и истока (типичная температура процесса — около 1000°С). Но в настоящее время наблюдается тенденция возвращения к металлическим затворам, для получения которых используются тугоплавкие металлы, выдерживающие высокие температуры. Уход от поликристаллического кремния вызван его неустранимым недостатком — высоким сопротивлением, которое снижает быстродействие схем.

Технология[править]

Схема 2И-НЕ

Для примера рассмотрим схему вентиля 2И-НЕ, построенного по технологии КМОП.

  • Если на оба входа A и B подан высокий уровень, то оба транзистора снизу на схеме открыты, а оба верхних закрыты, то есть выход соединён с землёй.
  • Если хотя бы на один из входов подать низкий уровень, соответствующий транзистор сверху будет открыт, а снизу закрыт. Таким образом, выход будет соединён с напряжением питания и отсоединён от земли.

В схеме нет никаких нагрузочных сопротивлений, поэтому в статическом состоянии через КМОП-схему протекают только токи утечки через закрытые транзисторы, и энергопотребление очень мало. При переключениях электрическая энергия тратится в основном на заряд емкостей затворов и проводников, так что потребляемая (и рассеиваемая) мощность пропорциональна частоте этих переключений (например, тактовой частоте процессора).

Серии микросхем[править]

  • На КМОП-транзисторах (CMOS):
    • C — CMOS с питанием 4-15V, аналогична серии 4000;
    • HC — Высокоскоростная CMOS, по скорости аналогична серии LS, 12 нс;
    • HCT — Высокоскоростная, совместимая по выходам с биполярными сериями;
    • AC — Улучшенная CMOS, скорость в целом между сериями S и F;
    • AHC — Улучшенная высокоскоростная CMOS, втрое быстрее HC
    • ALVC — с низким напряжением питания (1,65 — 3,3В), время срабатывания 2 нс;
    • AUC — с низким напряжением питания (0.8 — 2,7В), время срабатывания < 1,9 нс при Vпит=1,8В;
    • FC — быстрая CMOS, скорость аналогична F
    • LCX — CMOS с питанием 3В и 5В-совместимыми входами;
    • LVC — с пониженным напряжением (1,65 — 3.3В) и 5В-совместимыми входами, время срабатывания < 5,5 нс при Vпит=3,3V, < 9 нс при Vпит=2,5В;
    • LVQ — с пониженным напряжением (3,3В)
    • LVX — с питанием 3,3В и 5В-совместимыми входами;
    • VHC — Сверхвысокоскоростная CMOS — быстродействие сравнимо с S;
    • G — Супер-сверхвысокоскоростная для частот выше 1 ГГц, питание 1,65В — 3,3В, 5В-совместимые входы;
  • BiCMOS
    • BCT — BiCMOS, TTL-совместимые входы, используется для буферов;
    • ABT — Улучшенная BiCMOS, TTL-совместимые входы, быстрее ACT и BCT

См. также[править]

Сноски[править]

  1. Жан М. Рабаи, Ананта Чандракасан, Боривож Николич Цифровые интегральные схемы. Методология проектирования = Digital Integrated Circuits ‭. — 2-е изд.. — М.: «Вильямс», 2007.

Литература[править]

  • Жан М. Рабаи, Ананта Чандракасан, Боривож Николич Цифровые интегральные схемы. Методология проектирования = Digital Integrated Circuits ‭. — 2-е изд.. — М.: «Вильямс», 2007. — С. 912. — ISBN 0-13-090996-3>
  • Точчи, Рональд, Дж., Уидмер, Нил, С. Цифровые системы. Теория и практика = Digital Systems: Principles and Applications ‭. — 8-е изд.. — М.: «Вильямс», 2004. — С. 1024. — ISBN 5-8459-0586-9>nn:CMOSur:تکمیلی فلزی اکسید نیم موصل (تفانم)