МОП-структура

Материал из свободной русской энциклопедии «Традиция»
Перейти к: навигация, поиск

МОП Структура - (МОП - Металл - Оксид - полупроводник) наиболее широко используемая технология производства транзисторов. Название МОП является традиционным названием такой структуры. Структура состоит из металла и полупроводника, разделенных слоем оксида SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл - диэлектрик - полупроводник). Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, называются униполярными транзисторами, так как для его работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми или МОП-транзисторами (в зарубежной литературе MOSFET - metall-oxyde-semiconductor field effect transistor), которые существуют двух типов: n-канальные и p-канальные.

Особенности работы МОП транзисторов[править]

Файл:МОП1.JPG В униполярных транзисторах управляющим сигналом является разность потенциалов на участке затвор-исток.

\(I_c = I_u\,\!\)

\(I_3\to 0 \)

Изменяя входное напряжение (\(U_3u\,\!\)) изменяется состояние транзистора и \(I_c\,\!\)

Файл:ВАХМОП.JPG

Вольтамперная характеристика изменения тока стока в зависимости от изменения напряжения на входе.

1. Транзистор закрыт \(U_3u < U_p\,\!\) \(I_c=0\,\!\)

2. Крутой участок. \(U_3u > U_p\,\!\) $$I_c=K_n[(U_3u-U_p)U_cu - \frac{U_cu^2}{2}]\,\!$$

\(K_n\,\!\)-удельная крутизна транзистора.

3. Дальнейшее увеличение \(U_3u\) приводит к переходу на пологий участок. $$I_c=\frac{K_n}{2}[U_3u-U_p]^2\,\!$$- Уравнение Ховстайна. Шаблон:Phis-stublt:MOP tranzistorius