МОП-структура

МОП Структура - (МОП - Металл - Оксид - полупроводник) наиболее широко используемая технология производства транзисторов. Название МОП является традиционным названием такой структуры. Структура состоит из металла и полупроводника, разделенных слоем оксида SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл - диэлектрик - полупроводник). Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, называются униполярными транзисторами, так как для его работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми или МОП-транзисторами (в зарубежной литературе MOSFET - metall-oxyde-semiconductor field effect transistor), которые существуют двух типов: n-канальные и p-канальные.

Особенности работы МОП транзисторов

Файл:МОП1.JPG В униполярных транзисторах управляющим сигналом является разность потенциалов на участке затвор-исток.

$I_c = I_u\,\!$

$I_3\to 0$

Изменяя входное напряжение ($U_3u\,\!$) изменяется состояние транзистора и $I_c\,\!$

Вольтамперная характеристика изменения тока стока в зависимости от изменения напряжения на входе.

1. Транзистор закрыт $U_3u < U_p\,\!$ $I_c=0\,\!$

2. Крутой участок. $U_3u > U_p\,\!$ $$I_c=K_n[(U_3u-U_p)U_cu - \frac{U_cu^2}{2}]\,\!$$

$K_n\,\!$-удельная крутизна транзистора.

3. Дальнейшее увеличение $U_3u$ приводит к переходу на пологий участок. $$I_c=\frac{K_n}{2}[U_3u-U_p]^2\,\!$$- Уравнение Ховстайна. Шаблон:Phis-stub lt:MOP tranzistorius